НАЛИЧНА АПАРАТУРА:
За отлагане на слоеве от порьозен алуминиев оксид, ще се използва установка с клетка за постояннотоково анодиране на алуминий налична в лабораторията по „Фотолитография и галваника“ катедра „Микроелектроника“ на ТУ–София.
За контрол на температурата по време на отлагане на оксидните слоеве термостатирана вана с Пелтие елементи налична в лабораторията по „Фотолитография и галваника“ катедра „Микроелектроника“ на ТУ–София.
За подаване на постоянно напрежение до 150 V се използва система от ТЕС стабилизатори, налична в лабораторията по „Фотолитография и галваника“ катедра „Микроелектроника“ на ТУ–София.
За почистване и предварителна подготовка на образците почистване и сушене се използват ултразвукова вана, дейонизатор, специализирана сушилня, и система за сгъстен въздух, налични в лабораторията по „Фотолитография и галваника“ катедра „Микроелектроника“ на ТУ–София
За изграждане на електродните елементи чрез метализация, ще се използват Инсталация (Leybold) за вакуумно термично изпарение налична в лабораторията по „Вакуумни процеси“ катедра „Микроелектроника“ на ТУ–София.
За фотолитографското структуриране на електродите – центрофуга, сушилня, експонатор, бокс за проявяване на фоторезист и специализирана лаборатория за провеждане на фотолитографски процес „Фотолитография и галваника“.
За изследване на електрическото поведение и функционалността на слоевете ще се използва импеданс анализатор (Chemical Impedance analyzer– HIOKI) наличен в лабораторията по „Тънкослойна електроника“ катедра „Микроелектроника“ на ТУ–София
За изследването на бързодействието на сензорната структура ще се използва сигнал генератор (Keithley) наличен в лабораторията по „Тънкослойна електроника“ катедра „Микроелектроника“ на ТУ–София.